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Inventchip IV1D12005O2
SIC DIODE, 1200V 5A, TO-220-2
Hersteller Modell :IV1D12005O2
Hersteller :Inventchip
Dasenic Modell :IV1D12005O2-DS
Dokument :
IV1D12005O2 Dokument
IV1D12005O2 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : SIC DIODE, 1200V 5A, TO-220-2
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 5.7510 | $ 5.75 |
| 50+ | $ 3.3044 | $ 165.22 |
| 100+ | $ 5.7510 | $ 575.1 |
| 500+ | $ 2.8125 | $ 1406.25 |
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IV1D12005O2 Informationen
Inventchip IV1D12005O2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
- 製品ステータス:Active
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-2
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-2
- スピード:No Recovery Time > 500mA (Io)
- ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
- 電流 - 平均整流 ( Io):17A (DC)
- 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.8 V @ 5 A
- 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 1200 V
- 静電容量 @ Vr、 F:320pF @ 1V, 1MHz
- 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
- 逆回復時間 (trr):0 ns
- 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.10.0080
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IV1D12005O2 bereitgestellt von Inventchip
InventChip Technology Co., Ltd.は、シリコンカーバイドパワーデバイスとドライバー/コントロールIC製品の開発に注力するハイテク半導体企業です。2017年に設立され、中国上海に拠点を置いています。Inventchipは、風力エネルギー、太陽光発電、産業用電源、新エネルギー車、モータードライブ、充電パイルなどの分野に適したSiCパワーデバイス、SiCドライバーチップ、SiCモジュールを中心とした電力変換ソリューションを提供しています。Inventchipは、設立当初から6インチSiC MOSFETの研究開発に取り組んできました。3年間の集中的な研究開発を経て、中国で初めて6インチSiC MOSFETとSBDプロセス、およびSiC MOSFETドライバーチップを習得した企業となりました。Inventchipは、エンドシステムの小型化、軽量化、効率向上に特化した高品質でコスト効率の高いSiCパワーデバイスとIC製品の開発に取り組んでおり、完全なターンキー半導体ソリューションを提供しています。
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