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ISSI® IS42S16160G-6BL
Hersteller Modell :IS42S16160G-6BL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS42S16160G-6BL-DS
Dokument : IS42S16160G-6BL Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
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IS42S16160G-6BL Informationen
ISSI® IS42S16160G-6BL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Not For New Designs
- Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:54-TFBGA
- Technologie:SDRAM
- Gerätepaket des Lieferanten:54-TFBGA (8x8)
- Speichergröße:256Mbit
- Speichertyp:Volatile
- Spannung - Versorgung:3V ~ 3.6V
- Taktfrequenz:166 MHz
- Zugriffszeit:5.4 ns
- Gedächtnis- Format:DRAM
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Basisproduktnummer:IS42S16160
- Speicherorganisation:16M x 16
- Verpackung:Tray
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- HTS USA:8542.32.0024
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS42S16160G-6BL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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