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ISSI® IS43LQ16256AL-062BLI
Hersteller Modell :IS43LQ16256AL-062BLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43LQ16256AL-062BLI-DS
Dokument : IS43LQ16256AL-062BLI Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
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IS43LQ16256AL-062BLI Informationen
ISSI® IS43LQ16256AL-062BLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:200-WFBGA
- Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Gerätepaket des Lieferanten:200-VFBGA (10x14.5)
- Speichergröße:4Gbit
- Speichertyp:Volatile
- Spannung - Versorgung:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Taktfrequenz:1.6 GHz
- Gedächtnis- Format:DRAM
- Speicherschnittstelle:LVSTL
- Speicherorganisation:256M x 16
- Verpackung:Bulk
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LQ16256AL-062BLI bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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