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ISSI® IS43LR16160H-6BL

256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16,
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS43LR16160H-6BL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43LR16160H-6BL-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16,
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 10.6194$ 106.19
300+$ 8.8495$ 2654.85
Auf Lager: 934
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
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Gesamt :$ 10.62
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS43LR16160H-6BL Informationen

  • ISSI® IS43LR16160H-6BL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:60-TFBGA
  • Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR
  • Gerätepaket des Lieferanten:60-TFBGA (8x10)
  • Speichergröße:256Mbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Taktfrequenz:166 MHz
  • Zugriffszeit:5.5 ns
  • Gedächtnis- Format:DRAM
  • Speicherschnittstelle:Parallel
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:15ns
  • Speicherorganisation:16M x 16
  • Verpackung:Bulk
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43LR16160H-6BL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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