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ISSI® IS43QR85120B-083RBLI

4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS43QR85120B-083RBLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43QR85120B-083RBLI-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2400MT/s
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 23.5000$ 23.5
10+$ 21.7800$ 217.8
25+$ 21.2800$ 532
100+$ 18.6400$ 1864
272+$ 17.7000$ 4814.4
Auf Lager: 1503
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 23.5
Gesamt :$ 23.50
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS43QR85120B-083RBLI Informationen

  • ISSI® IS43QR85120B-083RBLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:78-TFBGA
  • テクノロジー:SDRAM - DDR4
  • サプライヤーデバイスパッケージ:78-TWBGA (10x14)
  • メモリサイズ:4Gbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.14V ~ 1.26V
  • クロック周波数:1.2 GHz
  • アクセス時間:19 ns
  • メモリフォーマット:DRAM
  • メモリインターフェース:POD
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:15ns
  • 記憶の組織化:512M x 8
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43QR85120B-083RBLI bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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