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ISSI® IS43R86400E-5TL

512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS43R86400E-5TL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43R86400E-5TL-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
7+$ 0.8073$ 5.65
10+$ 0.7670$ 7.67
100+$ 0.7266$ 72.66
500+$ 0.6863$ 343.15
1000+$ 0.6458$ 645.8
Auf Lager: 18737
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 0.8073
Gesamt :$ 0.81
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS43R86400E-5TL Informationen

  • ISSI® IS43R86400E-5TL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • テクノロジー:DRAM
  • シリーズ:Bulk
  • 取り付けタイプ:0°C ~ 70°C (TA)
  • 動作温度:2.3V ~ 2.7V
  • 電圧供給:700 ps
  • メモリサイズ:SDRAM - DDR
  • メモリタイプ:Not Verified
  • クロック周波数:SSTL_2
  • アクセス時間:15ns
  • メモリフォーマット:Volatile
  • メモリインターフェース:64M x 8
  • 記憶の整理:512Mbit
  • 書き込みサイクル時間-ワードページ:200 MHz
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43R86400E-5TL bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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