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ISSI® IS43TR16512S1DL-125KBL
Hersteller Modell :IS43TR16512S1DL-125KBL
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS43TR16512S1DL-125KBL-DS
Dokument : IS43TR16512S1DL-125KBL Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600M
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IS43TR16512S1DL-125KBL Informationen
ISSI® IS43TR16512S1DL-125KBL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Verpackung/ Koffer:96-LFBGA
- Technologie:SDRAM - DDR3L
- Betriebstemperatur:0°C ~ 95°C (TC)
- Spannungsversorgung:1.283V ~ 1.45V
- Speichergröße:8Gbit
- Speichertyp:Volatile
- Taktfrequenz:800 MHz
- Zugriffszeit:20 ns
- Speicherformat:DRAM
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Speicher Organisation:512M x 16
- Schreibzykluszeit- Word Page:15ns
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS43TR16512S1DL-125KBL bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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