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ISSI® IS46LQ16256AL-062BLA1
Hersteller Modell :IS46LQ16256AL-062BLA1
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS46LQ16256AL-062BLA1-DS
Dokument : IS46LQ16256AL-062BLA1 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G
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IS46LQ16256AL-062BLA1 Informationen
ISSI® IS46LQ16256AL-062BLA1 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Verpackung/ Koffer:200-WFBGA
- Technologie:SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Serie:Automotive, AEC-Q100
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
- Spannungsversorgung:1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Speichergröße:4Gbit
- Speichertyp:Volatile
- Taktfrequenz:1.6 GHz
- Zugriffszeit:3.5 ns
- Speicherformat:DRAM
- Speicherschnittstelle:LVSTL
- Speicher Organisation:256M x 16
- Schreibzykluszeit- Word Page:18ns
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:REACH is not affected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS46LQ16256AL-062BLA1 bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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