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  • ISSI® IS49RL18320-125FBL

    IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :IS49RL18320-125FBL
  • Hersteller :ISSI®
  • Dasenic Modell :IS49RL18320-125FBL-DS
  • Dokument :pdf download IS49RL18320-125FBL Dokument
  • Beschreibung : IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA
  • Verpackung :-
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ISSI® IS49RL18320-125FBL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Obsolete
パッケージ/ケース:168-LBGA
テクノロジー:RLDRAM 3
動作温度:0°C ~ 95°C (TC)
電圧供給:1.28V ~ 1.42V
メモリサイズ:576Mbit
メモリタイプ:Volatile
クロック周波数:800 MHz
アクセス時間:8 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の整理:32M x 18
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:Vendor is not defined
輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISSI® IS49RL18320-125FBL
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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