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ISSI® IS49RL36160-125FBLI

Name: IS49RL36160-125FBLI
Brand: ISSI®
SKU: DS-9752714
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA

Hersteller Modell :IS49RL36160-125FBLI

Hersteller :ISSI®

Dasenic Modell :IS49RL36160-125FBLI-DS

Dokument :

IS49RL36160-125FBLI Dokument

Kundenanpassung :

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Beschreibung : IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA

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IS49RL36160-125FBLI Informationen

ISSI® IS49RL36160-125FBLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 95°C (TC)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:168-LBGA
テクノロジー:RLDRAM 3
サプライヤーデバイスパッケージ:168-FBGA (13.5x13.5)
メモリサイズ:576Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:1.28V ~ 1.42V
クロック周波数:800 MHz
アクセス時間:8 ns
メモリフォーマット:DRAM
メモリインターフェース:Parallel
記憶の組織化:16M x 36
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:OBSOLETE
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IS49RL36160-125FBLI,

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IS49RL36160-125FBLI bereitgestellt von ISSI®

1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタルコンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。