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ISSI® IS49RL36320-093EBLI
Hersteller Modell :IS49RL36320-093EBLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS49RL36320-093EBLI-DS
Dokument : IS49RL36320-093EBLI Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : RLDRAM3 Memory, 1.15Gbit, x36, C
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IS49RL36320-093EBLI Informationen
ISSI® IS49RL36320-093EBLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- Produktstatus:Active
- Betriebstemperatur:-40°C ~ 95°C (TC)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:168-LBGA
- Technologie:RLDRAM 3
- Gerätepaket des Lieferanten:168-FBGA (13.5x13.5)
- Speichergröße:1.152Gbit
- Speichertyp:Volatile
- Spannung - Versorgung:1.28V ~ 1.42V
- Taktfrequenz:1.066 GHz
- Zugriffszeit:8 ns
- Gedächtnis- Format:DRAM
- Speicherschnittstelle:Parallel
- Speicherorganisation:32M x 36
- Verpackung:Bulk
- EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
- MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH-Status:REACH Unaffected
- US-ECCN:EAR99
- China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS49RL36320-093EBLI bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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