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ISSI® IS61NLF51218A-7.5TQLI
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
- Hersteller Modell :IS61NLF51218A-7.5TQLI
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS61NLF51218A-7.5TQLI-DS
- Dokument :
IS61NLF51218A-7.5TQLI Dokument
- Beschreibung : IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
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ISSI® IS61NLF51218A-7.5TQLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:100-LQFP
Technologie:SRAM - Synchronous, SDR
Gerätepaket des Lieferanten:100-LQFP (14x20)
Speichergröße:9Mbit
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:3.135V ~ 3.465V
Taktfrequenz:117 MHz
Zugriffszeit:7.5 ns
Gedächtnis- Format:SRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Basisproduktnummer:IS61NLF51218
Speicherorganisation:512K x 18
Verpackung:Tray
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:3A991B2A
HTS USA:8542.32.0041
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS61NLF51218A-7.5TQLI
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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