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  • ISSI® IS61NLP12836B-200TQI

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :IS61NLP12836B-200TQI
  • Hersteller :ISSI®
  • Dasenic Modell :IS61NLP12836B-200TQI-DS
  • Dokument :pdf download IS61NLP12836B-200TQI Dokument
  • Beschreibung : IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
  • Verpackung :-
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  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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ISSI® IS61NLP12836B-200TQI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:100-LQFP
テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
サプライヤーデバイスパッケージ:100-LQFP (14x20)
メモリサイズ:4.5Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:3.135V ~ 3.465V
クロック周波数:200 MHz
アクセス時間:3.1 ns
メモリフォーマット:SRAM
メモリインターフェース:Parallel
基本製品番号:IS61NLP12836
記憶の組織化:128K x 36
パッケージ:Tray
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:3A991B2A
HTS 米国:8542.32.0041
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
ISSI® IS61NLP12836B-200TQI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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