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ISSI® IS61VPS51236B-250B3LI-TR

2.375V~2.625V 18Mbit TFBGA-165(13x15) SRAM
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS61VPS51236B-250B3LI-TR
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS61VPS51236B-250B3LI-TR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 2.375V~2.625V 18Mbit TFBGA-165(13x15) SRAM
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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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IS61VPS51236B-250B3LI-TR Informationen

  • ISSI® IS61VPS51236B-250B3LI-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:165-TBGA
  • テクノロジー:SRAM - Synchronous, SDR
  • サプライヤーデバイスパッケージ:165-TFBGA (13x15)
  • メモリサイズ:18Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:2.375V ~ 2.625V
  • クロック周波数:250 MHz
  • アクセス時間:2.6 ns
  • メモリフォーマット:SRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 基本製品番号:IS61VPS51236
  • 記憶の組織化:512K x 36
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:3A991B2A
  • HTS 米国:8542.32.0041
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61VPS51236B-250B3LI-TR bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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