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  • ISSI® IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR

    2.4V~3.6V 4Mbit TFBGA-48(6x8) SRAM
  • part number has RoHS
  • Hersteller Modell :IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR
  • Hersteller :ISSI®
  • Dasenic Modell :IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR-DS
  • Dokument :pdf download IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR Dokument
  • Beschreibung : 2.4V~3.6V 4Mbit TFBGA-48(6x8) SRAM
  • Verpackung :-
  • Menge :
    Einzelpreis : $ 7.8084Gesamt : $ 7.81
  • Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
  • Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
  • Waren ausliefern :
    dhlupsfedex
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    paypalwiretransferpaypal02paypal04
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( MOQ : 1 PCS )
PREISE (USD) : *Alle Preise sind in US Dollar berechnet
MengeEinzelpreisGesamt
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ISSI® IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:48-TFBGA
Technologie:SRAM - Asynchronous
Gerätepaket des Lieferanten:48-TFBGA (6x8)
Speichergröße:4Mbit
Speichertyp:Volatile
Spannung - Versorgung:2.4V ~ 3.6V
Zugriffszeit:10 ns
Gedächtnis- Format:SRAM
Speicherschnittstelle:Parallel
Schreibzykluszeit – Wort, Seite:10ns
Basisproduktnummer:IS61WV25616
Speicherorganisation:256K x 16
Verpackung:Tape & Reel (TR)
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:3A991B2A
HTS USA:8542.32.0041
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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