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ISSI® IS61WV25616FALL-10BLI

4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS61WV25616FALL-10BLI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS61WV25616FALL-10BLI-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
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MengeEinzelpreisGesamt
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MOQ :1 PCS
Verpackung :-
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IS61WV25616FALL-10BLI Informationen

  • ISSI® IS61WV25616FALL-10BLI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:48-TFBGA
  • テクノロジー:SRAM - Asynchronous
  • サプライヤーデバイスパッケージ:48-TFBGA (6x8)
  • メモリサイズ:4Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • 電圧 - 供給:1.65V ~ 2.2V
  • アクセス時間:10 ns
  • メモリフォーマット:SRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:10ns
  • 記憶の組織化:256K x 16
  • パッケージ:Bulk
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS61WV25616FALL-10BLI bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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