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ISSI® IS62WV51216HBLL-45B2LI
8Mb, Low Power/Power Saver,Async
- Hersteller Modell :IS62WV51216HBLL-45B2LI
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS62WV51216HBLL-45B2LI-DS
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IS62WV51216HBLL-45B2LI Dokument - Beschreibung : 8Mb, Low Power/Power Saver,Async
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
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ISSI® IS62WV51216HBLL-45B2LI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:48-VFBGA
テクノロジー:SRAM - Asynchronous
サプライヤーデバイスパッケージ:48-VFBGA (6x8)
メモリサイズ:8Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:2.2V ~ 3.6V
アクセス時間:45 ns
メモリフォーマット:SRAM
メモリインターフェース:Parallel
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:45ns
記憶の組織化:512K x 16
パッケージ:Bulk
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:3A991B2A
HTS 米国:8542.32.0041
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS62WV51216HBLL-45B2LI
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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