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ISSI® IS64LF25636B-7.5B3LA3
Hersteller Modell :IS64LF25636B-7.5B3LA3
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS64LF25636B-7.5B3LA3-DS
Dokument : IS64LF25636B-7.5B3LA3 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : 9Mb,Flowthrough,Sync,256K x 36,1
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IS64LF25636B-7.5B3LA3 Informationen
ISSI® IS64LF25636B-7.5B3LA3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-40°C ~ 125°C (TA)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:165-TBGA
- テクノロジー:SRAM - Standard
- サプライヤーデバイスパッケージ:165-TFBGA (13x15)
- メモリサイズ:9Mbit
- メモリタイプ:Volatile
- 電圧 - 供給:3.135V ~ 3.465V
- クロック周波数:117 MHz
- アクセス時間:7.5 ns
- メモリフォーマット:SRAM
- メモリインターフェース:Parallel
- シリーズ:Automotive, AEC-Q100
- 記憶の組織化:256K x 36
- パッケージ:Bulk
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS64LF25636B-7.5B3LA3 bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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