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ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI

256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 256Mb, HyperRAM, 32Mbx8, 3.0V, 1
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MengeEinzelpreisGesamt
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Auf Lager: 1850
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Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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IS66WVH32M8DBLL-100B1LI Informationen

  • ISSI® IS66WVH32M8DBLL-100B1LI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • 製品ステータス:Active
  • パッケージ/ケース:24-TBGA
  • テクノロジー:PSRAM (Pseudo SRAM)
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
  • 電圧供給:2.7V ~ 3.6V
  • メモリサイズ:256Mbit
  • メモリタイプ:Volatile
  • クロック周波数:100 MHz
  • アクセス時間:40 ns
  • メモリフォーマット:PSRAM
  • メモリインターフェース:Parallel
  • 記憶の整理:32M x 8
  • 書き込みサイクル時間-ワードページ:40ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI bereitgestellt von ISSI®
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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