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ISSI® IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR

16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200M
part number has RoHS
Hersteller Modell :IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR
Hersteller :ISSI®
Dasenic Modell :IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200M
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
10+$ 7.8120$ 78.12
2500+$ 4.3400$ 10850
Auf Lager: 503
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 7.812
Gesamt :$ 7.81
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR Informationen

  • ISSI® IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:24-TBGA
  • Technologie:PSRAM (Pseudo SRAM)
  • Gerätepaket des Lieferanten:24-TFBGA (6x8)
  • Speichergröße:16Mbit
  • Speichertyp:Volatile
  • Spannung - Versorgung:1.7V ~ 1.95V
  • Taktfrequenz:200 MHz
  • Gedächtnis- Format:PSRAM
  • Speicherschnittstelle:SPI - Quad I/O
  • Schreibzykluszeit – Wort, Seite:40ns
  • Speicherorganisation:4M x 4
  • Verpackung:Tape & Reel (TR)
  • EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
  • MSL-Bewertung:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
  • REACH-Status:REACH Unaffected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR bereitgestellt von ISSI®
Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) wurde 1988 gegründet und ist ein Halbleiterunternehmen, das sich auf die Entwicklung und Herstellung einer breiten Palette von integrierten Schaltkreisen (ICs) und Speicherprodukten spezialisiert hat. Wir entwerfen, entwickeln und vermarkten leistungsstarke integrierte Schaltkreise für die folgenden Schlüsselmärkte: Automobil, Industrie und Medizin, Kommunikation/Unternehmen und digitaler Verbraucher. Unsere Hauptprodukte sind SRAM mit hoher Geschwindigkeit und geringem Stromverbrauch sowie DRAM mit niedriger und mittlerer Dichte, NOR/NAND-Flash und eMMC-Produkte. ISSI bietet auch kundenspezifische und anwendungsspezifische Lösungen an, um die individuellen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Der regionale Hauptsitz von ISSI befindet sich in Kalifornien, mit weltweiten Niederlassungen in Festlandchina, Europa, Hongkong, Indien, Israel, Japan, Korea, Singapur und Taiwan sowie den USA
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