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ISSI® IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR
32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104M
- Hersteller Modell :IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR
- Hersteller :ISSI®
- Dasenic Modell :IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR-DS
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IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR Dokument - Beschreibung : 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104M
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ISSI® IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Memory Integrated Circuit
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 85°C (TA)
取り付けタイプ:Surface Mount
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
テクノロジー:PSRAM (Pseudo SRAM)
サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
メモリサイズ:32Mbit
メモリタイプ:Volatile
電圧 - 供給:2.7V ~ 3.6V
クロック周波数:104 MHz
アクセス時間:7 ns
メモリフォーマット:PSRAM
メモリインターフェース:SPI, QPI
記憶の組織化:4M x 8
パッケージ:Tape & Reel (TR)
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
ISSI® IS66WVS4M8BLL-104NLI-TR
1988 年に設立された Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) は、幅広い集積回路 (IC) とメモリ製品の設計、開発、製造を専門とする半導体企業です。当社は、自動車、産業および医療、通信/エンタープライズ、デジタル コンシューマーなどの主要市場向けに高性能集積回路を設計、開発、販売しています。当社の主力製品は、高速で低電力の SRAM、低密度および中密度の DRAM、NOR/NAND フラッシュ、eMMC 製品です。ISSI は、お客様の独自の要件を満たすカスタマイズおよびアプリケーション固有のソリューションも提供しています。ISSI の地域本部はカリフォルニアにあり、中国本土、ヨーロッパ、香港、インド、イスラエル、日本、韓国、シンガポール、台湾、米国に世界各地のオフィスがあります。
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