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IXYS DAA10EM1800PZ-TRL

POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
part number has RoHS
Hersteller Modell :DAA10EM1800PZ-TRL
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DAA10EM1800PZ-TRL-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
200+$ 1.8180$ 363.6
2457+$ 1.7010$ 4179.36
Auf Lager: 7371
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 1.818
Gesamt :$ 1.82
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DAA10EM1800PZ-TRL Informationen

  • IXYS DAA10EM1800PZ-TRL technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263HV
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Avalanche
  • 電流 - 平均整流 ( Io):10A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.21 V @ 10 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:10 µA @ 1800 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:4pF @ 400V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1800 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
  • REACH規則:REACH Unaffected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • HTS 米国:8541.10.0080
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DAA10EM1800PZ-TRL bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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