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IXYS DHG10I1800PA

DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
part number has RoHS
Hersteller Modell :DHG10I1800PA
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DHG10I1800PA-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1.8KV 10A TO220AC
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 3.3030$ 3.3
10+$ 2.4120$ 24.12
100+$ 1.9530$ 195.3
250+$ 1.8450$ 461.25
500+$ 1.7820$ 891
Auf Lager: 6298
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 3.303
Gesamt :$ 3.30
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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DHG10I1800PA Informationen

  • IXYS DHG10I1800PA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-220-2
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AC
  • スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):10A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.23 V @ 10 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:50 µA @ 1800 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:3pF @ 900V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1800 V
  • 逆回復時間 (trr):300 ns
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 150°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DHG10I1800PA bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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