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IXYS DLA60I1200HA

DIODE GEN PURP 1200V 60A TO247AD
part number has RoHS
Hersteller Modell :DLA60I1200HA
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :DLA60I1200HA-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : DIODE GEN PURP 1200V 60A TO247AD
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
12+$ 4.0698$ 48.84
27+$ 3.3399$ 90.18
42+$ 3.2355$ 135.89
58+$ 3.1311$ 181.6
75+$ 3.0267$ 227
Auf Lager: 8040
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 4.0698
Gesamt :$ 4.07
Waren ausliefern :
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Zahlung :
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DLA60I1200HA Informationen

  • IXYS DLA60I1200HA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
  • 製品ステータス:Active
  • 取り付けタイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:TO-247-2
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
  • スピード:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ダイオードタイプ:Standard
  • 電流 - 平均整流 ( Io):60A
  • 電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.19 V @ 60 A
  • 電流 - 逆方向漏れ @ Vr:30 µA @ 1200 V
  • 静電容量 @ Vr、 F:33pF @ 400V, 1MHz
  • 電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):1200 V
  • 逆回復時間 (trr):-
  • 動作温度 - 接合部:-55°C ~ 175°C
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:REACH is not affected
  • 輸出規制分類番号:EAR99
  • 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
DLA60I1200HA bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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