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IXYS FII30-12E

Name: FII30-12E
Brand: IXYS
SKU: DS-6229360
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

Hersteller Modell :FII30-12E

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :FII30-12E-DS

Dokument :

FII30-12E Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5

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FII30-12E Informationen

IXYS FII30-12E technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Arrays
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:i4-Pac™-5
パワー - 最大:150 W
サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™
構成:Half Bridge
入力:Standard
電流 - コレクター ( Ic) (最大):33 A
電圧 - コレクターエミッター破壊 (最大):1200 V
電流 - コレクターカットオフ（最大）:200 µA
I G B Tタイプ:NPT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.9V @ 15V, 20A
入力容量 ( Cies) @ Vce:1.2 nF @ 25 V
N T Cサーミスタ:No
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
FII30-12E,

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FedEx	3-7 business days
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FII30-12E bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。