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IXYS IXDD609D2TR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
- Hersteller Modell :IXDD609D2TR
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :IXDD609D2TR-DS
- Dokument :
IXDD609D2TR Dokument
- Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
- Verpackung :-
- Menge :Einzelpreis : $ 0.7227Gesamt : $ 0.72
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10 + | $ 0.7227 | $ 7.23 |
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IXYS IXDD609D2TR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/Gate Drivers
Produktstatus:Active
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp:Surface Mount
Verpackung/ Koffer:8-VDFN Exposed Pad
Eingabetyp:Non-Inverting
Gerätepaket des Lieferanten:8-DFN-EP (5x4)
Spannung - Versorgung:4.5V ~ 35V
Kanaltyp:Single
Angetriebene Konfiguration:Low-Side
Anzahl der Fahrer:1
Tortyp:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Logikspannung – V I L, V I H:0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung ( Quelle, Senke):9A, 9A
High- Side- Spannung – Max ( Bootstrap):-
Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):22ns, 15ns
EU RoHS-Status:ROHS3 Compliant
MSL-Bewertung:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH-Status:REACH Unaffected
US-ECCN:EAR99
HTS USA:8542.39.0001
China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS IXDD609D2TR
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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