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IXYS IXDD630MCI
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
Hersteller Modell :IXDD630MCI
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDD630MCI-DS
Dokument :
IXDD630MCI Dokument
IXDD630MCI DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 8.4420 | $ 8.44 |
| 25+ | $ 7.6230 | $ 190.58 |
| 100+ | $ 6.3090 | $ 630.9 |
| 250+ | $ 6.0300 | $ 1507.5 |
| 500+ | $ 5.4990 | $ 2749.5 |
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IXDD630MCI Informationen
IXYS IXDD630MCI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-5
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-5
- 電圧 - 供給:9V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Single
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:1
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3.5V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:30A, 30A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:11ns, 11ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDD630MCI bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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