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IXYS IXDI602SIATR
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Hersteller Modell :IXDI602SIATR
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDI602SIATR-DS
Dokument :
IXDI602SIATR Dokument
IXDI602SIATR DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.4670 | $ 1.47 |
| 10+ | $ 1.2420 | $ 12.42 |
| 100+ | $ 0.9540 | $ 95.4 |
| 500+ | $ 0.8280 | $ 414 |
| 1000+ | $ 0.6651 | $ 665.1 |
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IXDI602SIATR Informationen
IXYS IXDI602SIATR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 35V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:7.5ns, 6.5ns
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8542.39.0001
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXDI602SIATR bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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