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IXYS LDA213STR

OPTOISO 3.75KV 2CH DARLNG 8SMD
part number has RoHS
Hersteller Modell :LDA213STR
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :LDA213STR-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : OPTOISO 3.75KV 2CH DARLNG 8SMD
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
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MOQ :1 PCS
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Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
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LDA213STR Informationen

  • IXYS LDA213STR technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Isolators/Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output
  • 製品ステータス:Obsolete
  • パッケージ/ケース:8-SMD, Gull Wing
  • 動作温度:-40°C ~ 85°C
  • 電圧絶縁:3750Vrms
  • チャンネル数:2
  • 入力タイプ:DC
  • 出力タイプ:Darlington
  • 電圧出力(最大):30V
  • 順方向電圧( Vf)( Typ):1.2V
  • 電流- D C順方向( If)(最大):1 mA
  • Vce飽和度(最大):1V
  • オン/オフ時間(標準):8µs, 345µs
  • 現在の転送比率(最大):30000% @ 1mA
  • 現在の転送比率(最小):300% @ 1mA
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
LDA213STR bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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