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IXYS IXA70R1200NA
DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
Hersteller Modell :IXA70R1200NA
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXA70R1200NA-DS
Dokument :
IXA70R1200NA Dokument
IXA70R1200NA DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
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IXA70R1200NA Informationen
IXYS IXA70R1200NA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-
- 取り付けタイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
- 入力タイプ:Standard
- パワー - 最大:350 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):100 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):1200 V
- I G B Tタイプ:PT
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.1V @ 15V, 50A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):-
- エネルギーの切り替え:4.5mJ (on), 5.5mJ (off)
- ゲートチャージ:190 nC
- Td (オン/オフ) @ 25° C:70ns/250ns
- テスト条件:600V, 50A, 15Ohm, 15V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXA70R1200NA bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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