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IXYS IXBOD2-32RD
Hersteller Modell :IXBOD2-32RD
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXBOD2-32RD-DS
Dokument : IXBOD2-32RD Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : POWER DIODE DISCRETES-OTHERS BOD Radial
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MOQ :1 PCS
Verpackung :Radial
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IXBOD2-32RD Informationen
IXYS IXBOD2-32RD technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Circuit Protection Devices/TVS - Thyristors
- 製品ステータス:Active
- キャパシタンス:-
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:Radial
- 電流 - ピークパルス (10/1000µs):-
- 電圧 - ブレークオーバー:-
- 電圧 - オフ状態:-
- 電流 - ピークパルス (8/20µs):-
- 電流 - ホールド ( Ih):-
- 要素数:1
- 電圧 - オン状態:1.3 V
IXBOD2-32RD bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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