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IXYS IXDE514D1T/R
Hersteller Modell :IXDE514D1T/R
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDE514D1T/R-DS
Dokument : IXDE514D1T/R Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DFN
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IXDE514D1T/R Informationen
IXYS IXDE514D1T/R technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- Produktstatus:Obsolete
- Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Montagetyp:Surface Mount
- Verpackung/ Koffer:6-VDFN Exposed Pad
- Eingabetyp:Inverting
- Gerätepaket des Lieferanten:6-DFN (4x5)
- Spannung - Versorgung:4.5V ~ 30V
- Kanaltyp:Single
- Angetriebene Konfiguration:Low-Side
- Anzahl der Fahrer:1
- Tortyp:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- Logikspannung – V I L, V I H:1V, 2.5V
- Strom - Spitzenleistung ( Quelle, Senke):14A, 14A
- High- Side- Spannung – Max ( Bootstrap):-
- Anstiegs-/ Abfallzeit ( Typ):25ns, 22ns
- EU RoHS-Status:RoHS Compliant
- REACH-Status:Vendor is not defined
- US-ECCN:Provided as per user requirements
- China RoHS-Status:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDE514D1T/R bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
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