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IXYS IXDI502PI
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
Hersteller Modell :IXDI502PI
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDI502PI-DS
Dokument :
IXDI502PI Dokument
IXDI502PI DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 5.2290 | $ 5.23 |
| 10+ | $ 4.2390 | $ 42.39 |
| 100+ | $ 1.5210 | $ 152.1 |
| 500+ | $ 0.7110 | $ 355.5 |
| 1000+ | $ 0.5580 | $ 558 |
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IXDI502PI Informationen
IXYS IXDI502PI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:8-DIP (0.300", 7.62mm)
- 入力タイプ:Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-DIP
- 電圧 - 供給:4.5V ~ 30V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Low-Side
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
- 上昇/下降時間（標準）:7.5ns, 6.5ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDI502PI bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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