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IXYS IXDN430MYI

IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
part number has RoHS
Hersteller Modell :IXDN430MYI
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXDN430MYI-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
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IXDN430MYI Informationen

  • IXYS IXDN430MYI technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
  • 製品ステータス:Obsolete
  • 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取り付けタイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
  • 入力タイプ:Non-Inverting
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-5
  • 電圧 - 供給:8.5V ~ 35V
  • チャンネルタイプ:Single
  • 駆動構成:Low-Side
  • ドライバー数:1
  • ゲートタイプ:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
  • ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 3.5V
  • 電流 - ピーク出力(ソース、シンク):30A, 30A
  • ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):-
  • 上昇/下降時間(標準):18ns, 16ns
  • EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
  • REACH規則:Vendor is not defined
  • 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
  • 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
IXDN430MYI bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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