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IXYS IXFN27N120SK

Name: IXFN27N120SK
Brand: IXYS
SKU: DS-6122889
Price: 94.5 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22

Hersteller Modell :IXFN27N120SK

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IXFN27N120SK-DS

Dokument :

IXFN27N120SK Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : SICARBIDE-DISCRETE MOSFET SOT-22

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Menge	Einzelpreis	Gesamt
1+	$ 94.5000	$ 94.5
10+	$ 81.6000	$ 816
20+	$ 79.6400	$ 1592.8
50+	$ 78.3800	$ 3919
100+	$ 77.1800	$ 7718

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IXFN27N120SK Informationen

IXYS IXFN27N120SK technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
製品ステータス:Active
動作温度:-
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
パワー - 最大:-
サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-227B
F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
F E T機能:Standard
ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):1200V (1.2kV)
電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:-
Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:-
Vgs(th) (最大) @ Id:-
ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:-
入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:-
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
IXFN27N120SK,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IXFN27N120SK bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。