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IXYS IXSH35N120B

Name: IXSH35N120B
Brand: IXYS
SKU: DS-6244651
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

IGBT 1200V 70A 300W TO247

Hersteller Modell :IXSH35N120B

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :IXSH35N120B-DS

Dokument :

IXSH35N120B Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : IGBT 1200V 70A 300W TO247

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IXSH35N120B Informationen

IXYS IXSH35N120B technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
製品ステータス:Obsolete
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Through Hole
パッケージ/ケース:TO-247-3
入力タイプ:Standard
パワー - 最大:300 W
サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247AD
逆回復時間 (trr):-
電流 - コレクター ( Ic) (最大):70 A
電圧 - コレクターエミッター破壊 (最大):1200 V
I G B Tタイプ:PT
Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:3.6V @ 15V, 35A
電流 - コレクタパルス ( Icm):140 A
エネルギーの切り替え:5mJ (off)
ゲートチャージ:120 nC
Td (オン/オフ) @ 25° C:36ns/160ns
テスト条件:960V, 35A, 5Ohm, 15V
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.29.0095
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period

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Datasheet:
IXSH35N120B,

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DHL	DHL Express, 3-7 business days DHL eCommerce，12-22 business days
FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

IXSH35N120B bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。