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IXYS IXTA130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
Hersteller Modell :IXTA130N10T
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXTA130N10T-DS
Dokument :
IXTA130N10T Dokument
IXTA130N10T DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 130A TO263
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.6020 | $ 1.6 |
| 10+ | $ 1.6020 | $ 16.02 |
| 25+ | $ 1.6020 | $ 40.05 |
| 50+ | $ 1.6020 | $ 80.1 |
| 100+ | $ 1.6020 | $ 160.2 |
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IXTA130N10T Informationen
IXYS IXTA130N10T technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263AA
- 消費電力（最大）:360W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):100 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:130A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:9.1mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:104 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:5080 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTA130N10T bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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