Rückmeldung
Deutsch

Die Bilder dienen nur als Referenz.

Aktie

1 : $2.8080

Bei der Erstregistrierung mit Bestellungen über 2.000 US-Dollar erhalten Sie einen Gutschein im Wert von 100 US-Dollar. Registrieren !

Certifications for ISO9001
Certifications for ISO13485
Certifications for ISO45001
Certifications for ISO14001

IXYS IXTA4N65X2

MOSFET N-CH 650V 4A TO263
part number has RoHS
Hersteller Modell :IXTA4N65X2
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :IXTA4N65X2-DS
Kundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 4A TO263
PREISE (USD) : *Um den Preis zu beantragen, klicken Sie bitte rechts auf die Schaltfläche „Zielpreis senden“.
MengeEinzelpreisGesamt
1+$ 2.8080$ 2.81
10+$ 2.1960$ 21.96
100+$ 1.7370$ 173.7
250+$ 1.3320$ 333
1000+$ 1.2870$ 1287
Auf Lager: 1710
MOQ :1 PCS
Verpackung :-
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
Versandherkunft :Lager in Shenzhen oder Hongkong
Menge :
Einzelpreis :$ 2.808
Gesamt :$ 2.81
Waren ausliefern :
dhlupsfedex
Zahlung :
paypalwiretransferpaypal02paypal04

Hilft Ihnen, Kosten und Zeit zu sparen.

Strenge Qualitätskontrolle und zuverlässige Verpackung der Waren.

Schnelle, zuverlässige Lieferung, um Zeit zu sparen.

Bieten Sie einen 365-tägigen Garantie-Kundendienst.

IXTA4N65X2 Informationen

  • IXYS IXTA4N65X2 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
  • Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
  • Produktstatus:Active
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp:Surface Mount
  • Verpackung/ Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-263
  • Verlustleistung (max.):80W (Tc)
  • F E T- Typ:N-Channel
  • F E T- Funktion:-
  • Drain- Source- Spannung ( Vdss):650 V
  • Strom – Dauerentladung ( Id) bei 25 ° C:4A (Tc)
  • R D S ein (max.) bei I D, V G S:850mOhm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) ( Max) @ Id:5V @ 250µA
  • Gate- Ladung ( Qg) ( Max) @ Vgs:8.3 nC @ 10 V
  • Eingangskapazität ( Ciss) ( Max) @ Vds:455 pF @ 25 V
  • Antriebsspannung ( Max. Rds On, Min. Rds On):10V
  • Vgs (max.):±30V
  • EU RoHS-Status:RoHS Compliant
  • REACH-Status:REACH is not affected
  • US-ECCN:EAR99
  • China RoHS-Status:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXTA4N65X2 bereitgestellt von IXYS
Seit seiner Gründung im Silicon Valley im Jahr 1983 ist IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) ein weltweiter Pionier in der Entwicklung von Leistungshalbleitern, Halbleiterrelais, integrierten Hochspannungsschaltkreisen und Mikrocontrollern. Mit einem Endkundenstamm von über 3.500 Kunden in den Branchen Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher, Medizin und Transport ist IXYS ein weltweit anerkannter Anbieter von fortschrittlichen Halbleitern. IXYS konzentriert sich auf verschiedene Halbleitertechnologien, darunter Leistungs-MOSFETs, IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBTs), Gleichrichter, Thyristoren, Dioden und andere diskrete und integrierte Halbleiterlösungen. Das Unternehmen stellt außerdem Mixed-Signal- und Analog-ICs, HF-Leistungsverstärker und Energiemanagement-ICs her. Im Januar 2018 schloss Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) die Übernahme von IXYS Corporation ab und IXYS wurde von der NASDAQ genommen.
IXYS Verwandte Produkte

Wir können Kundenanfragen nach elektronischen Komponenten umgehend erfüllen, auch bei Teilen, die auf dem Markt knapp sind.

  • RFQ