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IXYS MEO550-02DA

Name: MEO550-02DA
Brand: IXYS
SKU: DS-5802351
Price: 64.008 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (3 reviews)

DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

Hersteller Modell :MEO550-02DA

Hersteller :IXYS

Dasenic Modell :MEO550-02DA-DS

Dokument :

MEO550-02DA Dokument

Kundenanpassung :

Kundenanpassung

Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 582A Y4-M6

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MEO550-02DA Informationen

IXYS MEO550-02DA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Rectifiers - Single
製品ステータス:Active
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:Y4-M6
サプライヤーデバイスパッケージ:Y4-M6
スピード:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ダイオードタイプ:Standard
電流 - 平均整流 ( Io):582A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:1.25 V @ 520 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:5 mA @ 200 V
静電容量 @ Vr、 F:-
電圧 - D C逆方向 ( Vr) (最大):200 V
逆回復時間 (trr):200 ns
動作温度 - 接合部:-40°C ~ 150°C
EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
REACH規則:REACH is not affected
輸出規制分類番号:EAR99
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product

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Datasheet:
MEO550-02DA,

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FedEx	3-7 business days
UPS	5-7 business days

MEO550-02DA bereitgestellt von IXYS

IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンドカスタマーベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスドシグナルおよびアナログ IC、RF パワーアンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。