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IXYS MMIX2F60N50P3
MOSFET N-CH
Hersteller Modell :MMIX2F60N50P3
Hersteller :IXYS
Dasenic Modell :MMIX2F60N50P3-DS
Dokument :
MMIX2F60N50P3 Dokument
MMIX2F60N50P3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 87.2800 | $ 87.28 |
| 3+ | $ 77.0000 | $ 231 |
| 10+ | $ 69.2400 | $ 692.4 |
| 20+ | $ 64.6200 | $ 1292.4 |
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MMIX2F60N50P3 Informationen
IXYS MMIX2F60N50P3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:24-SMD Module, 9 Leads
- パワー - 最大:320W
- サプライヤーデバイスパッケージ:24-SMPD
- F E Tタイプ:2 N-Channel (Dual)
- F E T機能:Standard
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):500V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:30A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:110mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:5V @ 4mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:96nC @ 10V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:6250pF @ 25V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
MMIX2F60N50P3 bereitgestellt von IXYS
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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