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IXYS VUO25-16NO8
BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
- Hersteller Modell :VUO25-16NO8
- Hersteller :IXYS
- Dasenic Modell :VUO25-16NO8-DS
- Dokument :
VUO25-16NO8 Dokument - Beschreibung : BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
- Verpackung :-
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1 + | $ 12.2940 | $ 12.29 |
| 10 + | $ 12.2400 | $ 122.40 |
| 25 + | $ 12.0330 | $ 300.83 |
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IXYS VUO25-16NO8 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Diodes - Bridge Rectifiers
製品ステータス:Active
動作温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ:Chassis Mount
パッケージ/ケース:PWS-E
テクノロジー:Standard
サプライヤーデバイスパッケージ:PWS-E
ダイオードタイプ:Three Phase
電圧 - ピーク逆電圧（最大）:1.6 kV
電流 - 平均整流 ( Io):25 A
電圧 - 順方向 ( Vf) (最大) @ If:2.2 V @ 150 A
電流 - 逆方向漏れ @ Vr:300 µA @ 1600 V
EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
REACH規則:REACH Unaffected
輸出規制分類番号:EAR99
HTS 米国:8541.10.0080
中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
IXYS VUO25-16NO8
IXYS Corporation (NASDAQ:IXYS) は、1983 年にシリコンバレーで設立されて以来、パワー半導体、ソリッドステートリレー、高電圧集積回路、マイクロコントローラの開発における世界的な先駆者です。工業、自動車、通信、消費者、医療、輸送の各業界にわたる 3,500 社を超えるエンド カスタマー ベースを持つ IXYS は、先進的な半導体を提供する世界的に認められた企業です。IXYS は、パワー MOSFET、IGBT (絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ)、整流器、サイリスタ、ダイオード、その他の個別および統合半導体ソリューションなど、さまざまな半導体技術に重点を置いています。また、ミックスド シグナルおよびアナログ IC、RF パワー アンプ、電源管理 IC も製造しています。2018 年 1 月、Littelfuse, Inc. (NASDAQ:LFUS) が IXYS Corporation の買収を完了し、IXYS は NASDAQ から上場廃止されました。
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