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Rochester Electronics NGB8207BNT4G
Hersteller Modell :NGB8207BNT4G
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :NGB8207BNT4G-DS
Dokument : NGB8207BNT4G Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
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NGB8207BNT4G Informationen
Rochester Electronics NGB8207BNT4G technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - IGBTs - Single
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- 入力タイプ:Logic
- パワー - 最大:165 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- 逆回復時間 (trr):-
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):20 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):365 V
- I G B Tタイプ:-
- Vce(on) (最大) @ Vge、 Ic:2.6V @ 4V, 20A
- 電流 - コレクタパルス ( Icm):50 A
- エネルギーの切り替え:-
- ゲートチャージ:-
- Td (オン/オフ) @ 25° C:-
- テスト条件:-
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:Vendor is not defined
- 輸出規制分類番号:Provided as per user requirements
- 中国の RoHS ステータス:Orange Symbol: Safe for use during the environmental protection period
NGB8207BNT4G bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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