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MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ9.0A
TVS DIODE UP 9VRWM 15.4VC
Hersteller Modell :MSMBJ9.0A
Hersteller :MDE Semiconductor, Inc.
Dasenic Modell :MSMBJ9.0A-DS
Dokument :
MSMBJ9.0A Dokument
MSMBJ9.0A DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : TVS DIODE UP 9VRWM 15.4VC DO-214AA, SMB
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.9583 | $ 9.58 |
| 342+ | $ 0.7986 | $ 273.12 |
Auf Lager: 4605
MOQ :1 PCS
Verpackung :DO-214AA, SMB
Lieferzeit :Versand innerhalb von 48 Stunden
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MSMBJ9.0A Informationen
MDE Semiconductor, Inc. MSMBJ9.0A technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Circuit Protection Devices/TVS - Diodes
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:DO-214AA, SMB
- タイプ:Zener
- 周波数に対する静電容量:-
- サプライヤーデバイスパッケージ:SMB (DO-214AA)
- 一方向チャネル:1
- 電圧 - 逆スタンドオフ（標準）:9V
- 電圧 - 破壊（最小）:10V
- 電圧 - クランプ（最大）@ Ipp:15.4V
- 電流 - ピークパルス (10/1000µs):39A
- パワー - ピークパルス:600W
- 電力線保護:No
- 双方向チャネル:-
- アプリケーション:General Purpose
MSMBJ9.0A bereitgestellt von MDE Semiconductor, Inc.
MDE Semiconductor, Inc. は、回路保護製品に一心に注力する、革新的で品質志向のデバイス製造業者です。当社の過渡電圧サプレッサ ダイオード製品は、雷、静電放電 (ESD)、核電磁パルス (NEMP)、誘導スイッチングの破壊的な影響から電子システムを保護するために特別に設計されています。すべてのシリコン デバイスは、当社の有名な低リーク ガラス パッシベーション プロセスで製造されており、400 ワットから最大 288,000 ワットの高エネルギー吸収能力を備えています。TVS (過渡電圧サプレッサ ダイオード) 製品に注力している当社は、通信、自動車、コンピューター、産業用電子機器など、幅広い市場をカバーする要件について豊富な知識を持っています。MDE Semiconductor, Inc. は回路保護製品の市場リーダーであり、標準過渡電圧サプレッサ ダイオードの幅広いオプションと高電流 TVS ダイオード、サイリスタ、バリスタをお客様に提供しています。当社の製造施設は ISO 9001:2015 に準拠しています。
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