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Navitas Semiconductor NV6158-RA
Hersteller Modell :NV6158-RA
Hersteller :Navitas Semiconductor
Dasenic Modell :NV6158-RA-DS
Dokument : NV6158-RA Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : GANFAST WITH GANSENSE, SINGLE, 6
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NV6158-RA Informationen
Navitas Semiconductor NV6158-RA technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Power Distribution Switches, Load Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C
- 特徴:PWM Input, Slew Rate Controlled
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:27-PowerVQFN
- 入力タイプ:Non-Inverting
- 出力タイプ:N-Channel
- インタフェース:PWM
- サプライヤーデバイスパッケージ:24-QFN (5x6)
- 比率 - 入力:出力:1:1
- 電圧 - 電源 ( Vcc/ Vdd):9V ~ 24V
- 出力数:1
- 障害保護:Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Short Circuit, UVLO
- 出力構成:High/Low Side
- Rds オン (タイプ):120mOhm
- 電圧 - 負荷:700V
- 電流 - 出力(最大):12A
- スイッチタイプ:General Purpose
- シリーズ:GaNFast™
- 基本製品番号:NV6158
- パッケージ:Dasenic-Reel®
- パッケージ:Cut Tape (CT)
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- モイスチャーレベル:3 (168 Hours,30°C/60%RH)
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
NV6158-RA bereitgestellt von Navitas Semiconductor
Navitas Semiconductor は、2014 年に設立された唯一の純粋な次世代パワー半導体企業です。GaNFast™ パワー IC は、窒化ガリウム (GaN) の電力と駆動を制御、感知、保護と統合し、充電の高速化、電力密度の向上、エネルギーの節約を実現します。補完的な GeneSiC™ パワー デバイスは、最適化された高電力、高電圧、高信頼性のシリコン カーバイド (SiC) ソリューションです。重点市場には、モバイル、コンシューマー、データ センター、EV、太陽光、風力、スマート グリッド、産業などがあります。Navitas の特許は 185 件以上発行済みまたは申請中です。5,000 万個を超える GaN ユニットが出荷され、現場での GaN の故障は報告されていません。Navitas は、業界初で唯一の 20 年保証を導入しました。Navitas は、CarbonNeutral® 認定を受けた世界初の半導体企業です。
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