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Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Hersteller Modell :PSMN1R1-40BS,118
Hersteller :Nexperia USA Inc.
Dasenic Modell :PSMN1R1-40BS,118-DS
Dokument :
PSMN1R1-40BS,118 Dokument
PSMN1R1-40BS,118 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 1.2600 | $ 1.26 |
| 25+ | $ 1.2330 | $ 30.83 |
| 100+ | $ 1.1880 | $ 118.8 |
| 500+ | $ 1.1340 | $ 567 |
| 1000+ | $ 1.0710 | $ 1071 |
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PSMN1R1-40BS,118 Informationen
Nexperia USA Inc. PSMN1R1-40BS,118 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:D²PAK
- 消費電力（最大）:306W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):40 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:120A (Tc)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:1.3mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:4V @ 1mA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:136 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:9710 pF @ 20 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±20V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PSMN1R1-40BS,118 bereitgestellt von Nexperia USA Inc.
Nexperia は、2017 年に NXP Semiconductors から分離して設立されたオランダの半導体企業です。Nexperia はオランダのナイメーヘンに本社を置き、アジア、ヨーロッパ、米国に製造施設を構えています。Nexperia USA Inc. は、米国の顧客にサービスを提供するために設立された Nexperia の子会社です。同社は、自動車、モバイル、コンピューティング、コンシューマー、産業など、さまざまな業界向けに幅広い半導体ソリューションを提供しています。Nexperia USA Inc. が提供する製品には、ダイオード、トランジスタ、ESD 保護デバイス、ロジック IC、電源管理 IC などがあります。同社はカリフォルニアに本社を置き、全国に営業所とエンジニアリング オフィスを構えています。Nexperia USA Inc. は、北米の顧客向けに技術サポート、設計サービス、製品流通を提供しています。
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