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NTE Electronics Inc. 2N6123
Hersteller Modell :2N6123
Hersteller :NTE Electronics Inc.
Dasenic Modell :2N6123-DS
Dokument : 2N6123 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : TRANS NPN 80V 4A TO220
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2N6123 Informationen
NTE Electronics Inc. 2N6123 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- パワー - 最大:40 W
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):4 A
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):80 V
- Vce 飽和度 (最大) @ Ib、 Ic:1.4V @ 1A, 4A
- 電流 - コレクターカットオフ(最大):1mA
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:20 @ 1.5A, 2V
- 周波数 - 遷移:2.5MHz
- EU RoHS ステータス:RoHS non-compliant
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.29.0095
- REACH規則:REACH is not affected
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
2N6123 bereitgestellt von NTE Electronics Inc.
1979 年にニュージャージー州で設立された NTE Electronics, Inc は、全製品ラインに 10 種類の半導体を持つ小さな町のサプライヤから、業界最大のアフターマーケット半導体サプライヤに成長しました。現在、当社の製品ラインは 23,000 種類を超えるデバイスで構成されています。2001 年 1 月、NTE は Philips NA の ECG 部門の資産を買収しました。これにより、NTE は、産業、商業、消費者、および MRO 市場にプライベート ラベルのアフターマーケット電子部品を供給する業界リーダーになりました。ニュージャージー州ブルームフィールドにある NTE の 40,000 平方フィートの本社には、世界中の認定販売店ネットワークに電子部品を継続的に供給するために必要なすべてのサービスと在庫が一元化されています。NTE のデバイスは品質テスト済みで、NASA の宇宙プロジェクト、ドイツの自動車、病院/医療用途、および事実上あらゆる種類の消費者製品に使用されています。
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