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Rochester Electronics BFU768F,115
Hersteller Modell :BFU768F,115
Hersteller :Rochester Electronics
Dasenic Modell :BFU768F,115-DS
Dokument : BFU768F,115 Dokument
Kundenanpassung :
Beschreibung : BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
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BFU768F,115 Informationen
Rochester Electronics BFU768F,115 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - Bipolar (BJT) - RF
- 製品ステータス:Obsolete
- 動作温度:150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:SOT-343F
- パワー - 最大:220mW
- サプライヤーデバイスパッケージ:4-DFP
- トランジスタタイプ:NPN
- 電流 - コレクター ( Ic) (最大):70mA
- 電圧 - コレクター エミッター破壊 (最大):2.8V
- D C 電流ゲイン (h F E) (最小) @ Ic、 Vce:155 @ 10mA, 2V
- 周波数 - 遷移:-
- ノイズ指数 (d B 標準 @ f):-
- 得:13.1dB
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- モイスチャーレベル:1 (Unlimited, 30°C/85%RH)
- REACH規則:REACH Unaffected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- HTS 米国:8541.21.0095
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
BFU768F,115 bereitgestellt von Rochester Electronics
オリジナルメーカー在庫販売業者として、Rochester Electronics は 200,000 を超える部品番号を含む 150 億個以上のデバイスを在庫しており、世界で最も広範な製造終了 (EOL) 半導体と最も幅広いアクティブ半導体を提供しています。認定半導体メーカーとして、Rochester は 20,000 種類以上のデバイスを製造してきました。120 億個以上のダイを在庫している Rochester は、70,000 種類以上のデバイスを製造する能力を備えています。Rochester は、設計、ウェーハ処理、組み立て、テスト、信頼性、IP アーカイブなど、単一のソリューションから完全なターンキー製造まで、幅広い製造サービスを提供し、市場投入までの時間を短縮します。
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