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Panjit International Inc. PJW1NA60B_R2_00001
600V N-CHANNEL MOSFET
Hersteller Modell :PJW1NA60B_R2_00001
Hersteller :Panjit International Inc.
Dasenic Modell :PJW1NA60B_R2_00001-DS
Dokument :
PJW1NA60B_R2_00001 Dokument
PJW1NA60B_R2_00001 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : 600V N-CHANNEL MOSFET
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 10+ | $ 0.4918 | $ 4.92 |
| 2500+ | $ 0.2732 | $ 683 |
| 5000+ | $ 0.2514 | $ 1257 |
| 7500+ | $ 0.2732 | $ 2049 |
| 12500+ | $ 0.2275 | $ 2843.75 |
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PJW1NA60B_R2_00001 Informationen
Panjit International Inc. PJW1NA60B_R2_00001 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:TO-261-4, TO-261AA
- テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:SOT-223
- 消費電力（最大）:3.3W (Tc)
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):600 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:400mA (Ta)
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:10Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (最大) @ Id:3.5V @ 250µA
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:6.1 nC @ 10 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:210 pF @ 25 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:10V
- Vgs (最大):±30V
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
PJW1NA60B_R2_00001 bereitgestellt von Panjit International Inc.
Panjit International Inc. は、ダイオード、整流器、その他の半導体部品の大手メーカーです。同社は 1986 年に設立され、台湾に本社を置いています。Panjit の製品は、自動車、家電、産業、通信など、幅広い用途で使用されています。Panjit の製品ポートフォリオには、標準整流器、ショットキー整流器、ツェナー ダイオード、TVS ダイオード、ブリッジ整流器など、幅広いダイオードが含まれています。同社はまた、パワー モジュール、電圧レギュレータ、その他の半導体部品も製造しています。同社は世界的に展開しており、台湾、中国、マレーシアに製造施設、米国、ヨーロッパ、アジアに営業所があります。PANJIT は公開会社であり、IATF-16949、ESD S20.20、ISO-9001、ISO-14001、ISO-45001 などの認証を取得しています。
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