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PN Junction Semiconductor P3M06300K3
SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
Hersteller Modell :P3M06300K3
Hersteller :PN Junction Semiconductor
Dasenic Modell :P3M06300K3-DS
Dokument :
P3M06300K3 Dokument
P3M06300K3 DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : SICFET N-CH 650V 9A TO-247-3
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 9.9600 | $ 9.96 |
| 11+ | $ 9.4618 | $ 104.08 |
| 101+ | $ 9.9600 | $ 1005.96 |
| 1000+ | $ 7.4700 | $ 7470 |
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P3M06300K3 Informationen
PN Junction Semiconductor P3M06300K3 technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Discrete Semiconductor Devices/Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-247-3
- テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3L
- 消費電力（最大）:38W
- F E Tタイプ:N-Channel
- F E T機能:-
- ドレイン-ソース電圧 ( Vdss):650 V
- 電流 - 連続ドレイン ( Id) @ 25° C:9A
- Rds オン (最大) @ Id、 Vgs:500mOhm @ 4.5A, 15V
- Vgs(th) (最大) @ Id:-
- ゲート電荷 ( Qg) (最大) @ Vgs:904 nC @ 15 V
- 入力容量 ( Ciss) (最大) @ Vds:338 pF @ 400 V
- 駆動電圧（最大 Rds オン、最小 Rds オン）:15V
- Vgs (最大):+20V, -8V
- EU RoHS ステータス:ROHS3 Compliant
- REACH規則:REACH Affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
P3M06300K3 bereitgestellt von PN Junction Semiconductor
PN Junction Semiconductorは、2018年9月に中国の第3世代パワー半導体デバイスのリーディングブランドとして設立されました。同社の主力製品は、車載グレードのシリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドSBD、窒化ガリウムパワーデバイスです。同社は中国で最も包括的なシリコンカーバイドパワーデバイスのカタログを所有しており、さまざまな電圧レベルと電流容量をカバーするシリコンカーバイドMOSFETとSBDはすべてAEC-Q101テストと認証に合格しており、顧客のさまざまなアプリケーションシナリオを満たすことができます。PN Junction Semiconductorの創設者であるHuang Xing博士は、2009年からシリコンカーバイドと窒化ガリウムパワーデバイスの設計と開発に深く関わり、IGBTの発明者であるB. Jayant Baliga教授とサイリスタの発明者であるAlex Huang教授に師事しました。現在、PN Junction Semiconductorは、650V、1200V、1700Vの電圧プラットフォーム上で、シリコンカーバイドダイオード、シリコンカーバイドMOSFET、シリコンカーバイドパワーモジュール、GaN HEMT製品の100種類以上のモデルをリリースしています。量産製品は、電気自動車、IT機器電源、太陽光発電インバータ、エネルギー貯蔵システム、産業用アプリケーションなどの分野で広く使用されており、Tier 1メーカーに継続的かつ安定した供給を提供しています。
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