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Renesas Electronics HIP2101IBZ
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Hersteller Modell :HIP2101IBZ
Hersteller :Renesas Electronics
Dasenic Modell :HIP2101IBZ-DS
Dokument :
HIP2101IBZ Dokument
HIP2101IBZ DokumentKundenanpassung :
Beschreibung : IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
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| Menge | Einzelpreis | Gesamt |
| 1+ | $ 4.0770 | $ 4.08 |
| 10+ | $ 2.9610 | $ 29.61 |
| 100+ | $ 2.5110 | $ 251.1 |
| 250+ | $ 2.2770 | $ 569.25 |
| 500+ | $ 2.2680 | $ 1134 |
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HIP2101IBZ Informationen
Renesas Electronics HIP2101IBZ technische Spezifikationen, Attribute, Parameter.
- Kategorie:Integrated Circuits (ICs)/PMIC - Gate Drivers
- 製品ステータス:Active
- 動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取り付けタイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- 入力タイプ:Non-Inverting
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SOIC
- 電圧 - 供給:9V ~ 14V
- チャンネルタイプ:Independent
- 駆動構成:Half-Bridge
- ドライバー数:2
- ゲートタイプ:N-Channel MOSFET
- ロジック電圧 - V I L、 V I H:0.8V, 2.2V
- 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）:2A, 2A
- ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ):114 V
- 上昇/下降時間（標準）:10ns, 10ns
- EU RoHS ステータス:RoHS Compliant
- REACH規則:REACH is not affected
- 輸出規制分類番号:EAR99
- 中国の RoHS ステータス:Green Symbol: Green and environmentally friendly product
HIP2101IBZ bereitgestellt von Renesas Electronics
ルネサス エレクトロニクス株式会社は、産業、自動車、民生、その他の分野のさまざまなアプリケーション向けに高度な半導体ソリューションを提供する日本の半導体メーカーです。同社は、日立、三菱電機、NECエレクトロニクスの合弁会社として2003年に設立され、東京に本社を置いています。ルネサス エレクトロニクスは、マイクロコントローラ、マイクロプロセッサ、システムオンチップ（SoC）、アナログおよびパワーデバイス、メモリデバイス、システム開発用のさまざまなソフトウェアやツールなど、幅広い製品とサービスを提供しています。これらの製品は、自動車、産業、家電、モバイルデバイス、ヘルスケアなど、さまざまなアプリケーションで使用されています。ハードウェア製品に加えて、ルネサスはお客様が独自のソリューションを開発および展開するのに役立つソフトウェアとツールも提供しています。e² studio統合開発環境（IDE）は複数の言語とプラットフォームをサポートしており、ルネサスはさまざまなアプリケーション向けのさまざまなソフトウェアスタックを提供しています。ルネサスはグローバルに展開しており、アジア、ヨーロッパ、南北アメリカにオフィスと製造施設があります。
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